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BFR540
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本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
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主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
详细介绍
| 产品型号
Part Number |
BFR540 |
| 封装形式
Package |
SOT-23 |
| Type |
|
fT |
GHz |
9 |
| ESD Diode |
直流工作极限(LIMIT) |
Vcbo (V) |
20 |
| VDS(V) |
Vceo (V) |
15 |
| VGS(±V) |
Vebo (V) |
2.5 |
| IDS(A) |
25°C |
PT(mW) |
500 |
| 70°C |
Ic(mA) |
120 |
| PD(W) |
25°C |
NF(dB) |
TYP |
1.9 |
| 70°C |
HFE |
TYP |
60-250 |
| 品牌 |
NXP |
| 产品名称 |
高频低噪声三极管 |
| 产品手册（PDF） |
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| 在线订购Samples
Order |
8 |
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本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
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主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；