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BFS520
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本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
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主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、光纤射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;
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集电极-基极击穿电压:BVCEO=15V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率:PC=300mW,特征频率:fT=9GHz;
详细介绍
产品型号
Part Number |
BFS520 |
封装形式
Package |
SOT-323 |
Type |
|
fT |
GHz |
9 |
ESD Diode |
直流工作极限(LIMIT) |
Vcbo (V) |
20 |
VDS(V) |
Vceo (V) |
15 |
VGS(±V) |
Vebo (V) |
2.5 |
IDS(A) |
25°C |
PT(mW) |
300 |
70°C |
Ic(mA) |
70 |
PD(W) |
25°C |
NF(dB) |
TYP |
1.6 |
70°C |
HFE |
TYP |
60-250 |
品牌 |
NXP |
产品名称 |
高频低噪声三极管 |
产品手册(PDF) |
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在线订购Samples
Order |
8 |
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本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
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主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV视频放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应开关、光纤射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;
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集电极-基极击穿电压:BVCEO=15V,集电极电流:IC=70mA,耗散功率:PC=300mW,特征频率:fT=9GHz;