BFP196
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品;
集电极-发射极击穿电压:BVCEO=10V,集电极电流:ICM=100mA,耗散功率:PC=365mW,特征频率:fT=9.0GHz;
封装形式(Package):SOT143B,塑封本体印字(Marking):RIs
详细介绍
产品型号
Part Number |
BFP196 |
封装形式
Package |
SOT143 |
Type |
|
fT |
GHz |
9 |
ESD Diode |
直流工作极限(LIMIT) |
Vcbo (V) |
20 |
VDS(V) |
Vceo (V) |
12 |
VGS(±V) |
Vebo (V) |
2.0 |
IDS(A) |
25°C |
PT(mW) |
700 |
70°C |
Ic(mA) |
100 |
PD(W) |
25°C |
NF(dB) |
TYP |
2.0 |
70°C |
HFE |
TYP |
-65~+150 |
品牌 |
NXP |
产品名称 |
高频管BFP196 |
产品手册(PDF) |
|
在线订购Samples
Order |
8 |
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品;
集电极-发射极击穿电压:BVCEO=10V,集电极电流:ICM=100mA,耗散功率:PC=365mW,特征频率:fT=9.0GHz;
封装形式(Package):SOT143B,塑封本体印字(Marking):RIs