BFP196
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品；
集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，集电极电流：ICM=100mA,耗散功率：PC=365mW，特征频率：fT=9.0GHz;
封装形式(Package)：SOT143B,塑封本体印字(Marking)：RIs
详细介绍
| 产品型号
Part Number |
BFP196 |
| 封装形式
Package |
SOT143 |
| Type |
|
fT |
GHz |
9 |
| ESD Diode |
直流工作极限(LIMIT) |
Vcbo (V) |
20 |
| VDS(V) |
Vceo (V) |
12 |
| VGS(±V) |
Vebo (V) |
2.0 |
| IDS(A) |
25°C |
PT(mW) |
700 |
| 70°C |
Ic(mA) |
100 |
| PD(W) |
25°C |
NF(dB) |
TYP |
2.0 |
| 70°C |
HFE |
TYP |
-65~+150 |
| 品牌 |
NXP |
| 产品名称 |
高频管BFP196 |
| 产品手册（PDF） |
|
| 在线订购Samples
Order |
8 |
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品；
集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，集电极电流：ICM=100mA,耗散功率：PC=365mW，特征频率：fT=9.0GHz;
封装形式(Package)：SOT143B,塑封本体印字(Marking)：RIs